Transistitori GaN (GaN HEMT)
제조업체
- PN Junction Semiconductor
패키지
- DFN8080-8
Prodotto della larghezza di banda (GBP)
- -55℃~+150℃
Incorrente di viaggio
- 55.5W
Resistenza allo stato di drenaggio (8V)
- 650V
Corrente di scarico continuo
- 1 N-Channel
Tensione della soglia del portoneu200b
- 10A
이미지 | 가격 | 수량 | 재고 상태 | 제조사 부품 번호 | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | 패키지 | 포장 |
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이미지 | 가격 | 수량 | 재고 상태 | 제조사 부품 번호 | eBee 부품 번호 | 제조업체 | 제품명 | 설명 | RoHS | 패키지 | 포장 |
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1+ $11.3688 200+ $4.5361 500+ $4.3844 1000+ $4.3095 | 최소: 1 배수: 1 | - | P1H06300D8 | E85840753 | PN Junction Semiconductor | PN Junction Semiconductor P1H06300D8 | - | - | DFN8080-8 | Tape & Reel (TR) |
- 1