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WXDH D4N65
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | D4N65 |
| EBEE 부품 번호 | E817179518 |
| 패키지 | TO-252B |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| 전력 손실(Pd) | 75W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3.5pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 610pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
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