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GOFORD G12P10KE-B
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | G12P10KE-B |
| EBEE 부품 번호 | E822362828 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-252 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
| 5000+ | $0.0382 | $ 191.0000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 350mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
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