| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NCE60P25K |
| EBEE 부품 번호 | E8130105 |
| 패키지 | TO-252-2(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 25A 45mΩ@10V,20A 90W 3.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2406 | $ 1.2030 |
| 50+ | $0.1891 | $ 9.4550 |
| 150+ | $0.1604 | $ 24.0600 |
| 500+ | $0.1432 | $ 71.6000 |
| 2500+ | $0.1283 | $ 320.7500 |
| 5000+ | $0.1203 | $ 601.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P25K | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 25A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 90W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 272pF@30V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.43nF@30V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 46nC@30V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2406 | $ 1.2030 |
| 50+ | $0.1891 | $ 9.4550 |
| 150+ | $0.1604 | $ 24.0600 |
| 500+ | $0.1432 | $ 71.6000 |
| 2500+ | $0.1283 | $ 320.7500 |
| 5000+ | $0.1203 | $ 601.5000 |
