| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NCE30P12S |
| EBEE 부품 번호 | E8167515 |
| 패키지 | SOIC-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | 30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 12A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| 전력 손실(Pd) | 3W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 180pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.75nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 24nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
