| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NCE0103M |
| EBEE 부품 번호 | E8161844 |
| 패키지 | SOT-89-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 3A 170mΩ@4.5V,3A 1.5W 1V@250uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 20pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 650pF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20nC@50V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
