| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | WNM6002-3/TR |
| EBEE 부품 번호 | E8501342 |
| 패키지 | SOT-323 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 300mA 2Ω@10V,370mA 370mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0341 | $ 0.6820 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0221 | $ 66.3000 |
| 9000+ | $0.0202 | $ 181.8000 |
| 21000+ | $0.0193 | $ 405.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6002-3/TR | |
| RoHS | ||
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 1.7Ω@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.37pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.2nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0341 | $ 0.6820 |
| 200+ | $0.0277 | $ 5.5400 |
| 600+ | $0.0242 | $ 14.5200 |
| 3000+ | $0.0221 | $ 66.3000 |
| 9000+ | $0.0202 | $ 181.8000 |
| 21000+ | $0.0193 | $ 405.3000 |
