| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | WMO35N06T1 |
| EBEE 부품 번호 | E838132135 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 35A 25mΩ@4.5V,35A 44.6W 1.65V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2223 | $ 1.1115 |
| 50+ | $0.1789 | $ 8.9450 |
| 150+ | $0.1603 | $ 24.0450 |
| 500+ | $0.1371 | $ 68.5500 |
| 2500+ | $0.1267 | $ 316.7500 |
| 5000+ | $0.1205 | $ 602.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wayon WMO35N06T1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 35A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,35A | |
| 전력 손실(Pd) | 44.6W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.65V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 74pF@30V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1750pF@30V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 14.5nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2223 | $ 1.1115 |
| 50+ | $0.1789 | $ 8.9450 |
| 150+ | $0.1603 | $ 24.0450 |
| 500+ | $0.1371 | $ 68.5500 |
| 2500+ | $0.1267 | $ 316.7500 |
| 5000+ | $0.1205 | $ 602.5000 |
