| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | WMO15N10T1 |
| EBEE 부품 번호 | E83030962 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 14.6A 90mΩ@10V,14.6A 41.7W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wayon WMO15N10T1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 14.6A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14.6A | |
| 전력 손실(Pd) | 41.7W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 42pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.22nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20.6nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
