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Wayon WMB115N15HG4


제조사
제조사 부품 번호
WMB115N15HG4
EBEE 부품 번호
E837723593
패키지
PDFN5060-8L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
150V 75A 125W 11.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel PDFN5060-8L MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.9897$ 0.9897
10+$0.8295$ 8.2950
30+$0.7405$ 22.2150
100+$0.6408$ 64.0800
500+$0.5964$ 298.2000
1000+$0.5767$ 576.7000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트Wayon WMB115N15HG4
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)150V
연속 드레인 전류(Id)75A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)11.5mΩ@10V,20A
전력 손실(Pd)125W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)3V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)9.4pF@75V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)3310pF@75V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)45nC@10V

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