| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | WMB115N15HG4 |
| EBEE 부품 번호 | E837723593 |
| 패키지 | PDFN5060-8L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 150V 75A 125W 11.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel PDFN5060-8L MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9897 | $ 0.9897 |
| 10+ | $0.8295 | $ 8.2950 |
| 30+ | $0.7405 | $ 22.2150 |
| 100+ | $0.6408 | $ 64.0800 |
| 500+ | $0.5964 | $ 298.2000 |
| 1000+ | $0.5767 | $ 576.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Wayon WMB115N15HG4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 75A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 9.4pF@75V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3310pF@75V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9897 | $ 0.9897 |
| 10+ | $0.8295 | $ 8.2950 |
| 30+ | $0.7405 | $ 22.2150 |
| 100+ | $0.6408 | $ 64.0800 |
| 500+ | $0.5964 | $ 298.2000 |
| 1000+ | $0.5767 | $ 576.7000 |
