| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SUP90100E-GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E83280719 |
| 패키지 | TO-220AB |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 150A 0.0109Ω@10V,16A 375W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7345 | $ 2.7345 |
| 200+ | $1.0594 | $ 211.8800 |
| 500+ | $1.0221 | $ 511.0500 |
| 1000+ | $1.0026 | $ 1002.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SUP90100E-GE3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 150A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.0109Ω@10V,16A | |
| 전력 손실(Pd) | 375W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 12pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.93nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 72.8nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7345 | $ 2.7345 |
| 200+ | $1.0594 | $ 211.8800 |
| 500+ | $1.0221 | $ 511.0500 |
| 1000+ | $1.0026 | $ 1002.6000 |
