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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB15N80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8500932 |
| 패키지 | D2PAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 14A 0.375Ω@10V,7A 190W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3584 | $ 1.3584 |
| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
| 100+ | $1.2184 | $ 121.8400 |
| 500+ | $1.2008 | $ 600.4000 |
| 1000+ | $1.1926 | $ 1192.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB15N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 375mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 14A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@640V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3584 | $ 1.3584 |
| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
| 100+ | $1.2184 | $ 121.8400 |
| 500+ | $1.2008 | $ 600.4000 |
| 1000+ | $1.1926 | $ 1192.6000 |
