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Vishay Intertech SUM90330E-GE3


제조사
제조사 부품 번호
SUM90330E-GE3
EBEE 부품 번호
E87325094
패키지
TO-263(D2PAk)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$1.9816$ 1.9816
200+$0.7912$ 158.2400
500+$0.7651$ 382.5500
800+$0.7512$ 600.9600
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트VISHAY SUM90330E-GE3
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃@(Tj)
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)200V
연속 드레인 전류(Id)35.1A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)37.5mΩ@10V,12.2A
전력 손실(Pd)125W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)11pF@100V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1.172nF@100V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)32nC@10V

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