| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SUM90330E-GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E87325094 |
| 패키지 | TO-263(D2PAk) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SUM90330E-GE3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 35.1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 37.5mΩ@10V,12.2A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 11pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.172nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 32nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
