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Vishay Intertech SUM90100E-GE3


제조사
제조사 부품 번호
SUM90100E-GE3
EBEE 부품 번호
E83291118
패키지
TO-263(D2PAK)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
200V 150A 250W 0.0114Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$3.0237$ 3.0237
200+$1.1712$ 234.2400
500+$1.1286$ 564.3000
800+$1.1091$ 887.2800
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트VISHAY SUM90100E-GE3
RoHS
작동 온도-55℃~+175℃
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)200V
연속 드레인 전류(Id)150A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)0.0114Ω@10V,16A
전력 손실(Pd)250W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)12pF@100V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)3.93nF@100V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)56.7nC@10V

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