| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SUM65N20-30-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E8468006 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 65A 0.03Ω@10V,30A 3.75W 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SUM65N20-30-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 65A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.03Ω@10V,30A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.75W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 210pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 5.1nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 130nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
