| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SQA604CEJW-T1_GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E87364361 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 80V 5.63A 13.6W 80mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4393 | $ 0.4393 |
| 200+ | $0.1753 | $ 35.0600 |
| 500+ | $0.1695 | $ 84.7500 |
| 1000+ | $0.1665 | $ 166.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SQA604CEJW-T1_GE3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5.63A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 13.6W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 13pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 445pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 9.8nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4393 | $ 0.4393 |
| 200+ | $0.1753 | $ 35.0600 |
| 500+ | $0.1695 | $ 84.7500 |
| 1000+ | $0.1665 | $ 166.5000 |
