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Vishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SIRA60DP-T1-GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E8467954 |
| 패키지 | PowerPAK-SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 56A 5W 0.00094Ω@10V,100A 1.1V@250uA 1 N-Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9193 | $ 0.9193 |
| 10+ | $0.7621 | $ 7.6210 |
| 30+ | $0.6843 | $ 20.5290 |
| 100+ | $0.6065 | $ 60.6500 |
| 500+ | $0.5065 | $ 253.2500 |
| 1000+ | $0.4811 | $ 481.1000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Vishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 0.94mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 191pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.32nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
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7329 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9193 | $ 0.9193 |
| 10+ | $0.7621 | $ 7.6210 |
| 30+ | $0.6843 | $ 20.5290 |
| 100+ | $0.6065 | $ 60.6500 |
| 500+ | $0.5065 | $ 253.2500 |
| 1000+ | $0.4811 | $ 481.1000 |
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