| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SIHA25N50E-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E83280452 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 16A 0.145Ω@10V,12A 35W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4097 | $ 2.4097 |
| 200+ | $0.9335 | $ 186.7000 |
| 500+ | $0.8996 | $ 449.8000 |
| 1000+ | $0.8838 | $ 883.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SIHA25N50E-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 16A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.145Ω@10V,12A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 8pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.98nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 86nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.4097 | $ 2.4097 |
| 200+ | $0.9335 | $ 186.7000 |
| 500+ | $0.8996 | $ 449.8000 |
| 1000+ | $0.8838 | $ 883.8000 |
