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Vishay Intertech SIHA21N65EF-E3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SIHA21N65EF-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E85899993 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 21A 180mΩ@10V,11A 35W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8213 | $ 6.8213 |
| 200+ | $2.7217 | $ 544.3400 |
| 500+ | $2.6304 | $ 1315.2000 |
| 1000+ | $2.5866 | $ 2586.6000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SIHA21N65EF-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 21A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.322nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 106nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8213 | $ 6.8213 |
| 200+ | $2.7217 | $ 544.3400 |
| 500+ | $2.6304 | $ 1315.2000 |
| 1000+ | $2.5866 | $ 2586.6000 |
