| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SIE818DF-T1-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E8506605 |
| 패키지 | PolarPAK-10 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 75V 60A 0.0095Ω@10V,60A 5.2W 1.5V@250uA 1 N-channel PolarPAK-10 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9124 | $ 0.9124 |
| 10+ | $0.8929 | $ 8.9290 |
| 30+ | $0.8449 | $ 25.3470 |
| 100+ | $0.8308 | $ 83.0800 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SIE818DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 60A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.0095Ω@10V,60A | |
| 전력 손실(Pd) | 5.2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.2nF@38V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 33nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9124 | $ 0.9124 |
| 10+ | $0.8929 | $ 8.9290 |
| 30+ | $0.8449 | $ 25.3470 |
| 100+ | $0.8308 | $ 83.0800 |
