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Vishay Intertech SIE802DF-T1-E3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SIE802DF-T1-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E86816575 |
| 패키지 | PolArPAK-10 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 60A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| 전력 손실(Pd) | 5.2W;125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 7nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 160nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
