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Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SI8808DB-T2-E1 |
| EBEE 부품 번호 | E8145290 |
| 패키지 | BGA-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SI8808DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 1.8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@4.5V,1A | |
| 전력 손실(Pd) | 500mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 330pF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 10nC@8V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
