| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SI8483DB-T2-E1 |
| EBEE 부품 번호 | E8142558 |
| 패키지 | BGA-6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 12V 16A 26mΩ@4.5V,1.5A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel BGA-6 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SI8483DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 16A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,1.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.77W;13W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.84nF@6V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 65nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
