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Vishay Intertech SI8483DB-T2-E1


제조사
제조사 부품 번호
SI8483DB-T2-E1
EBEE 부품 번호
E8142558
패키지
BGA-6
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
12V 16A 26mΩ@4.5V,1.5A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel BGA-6 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$1.3331$ 1.3331
10+$1.1733$ 11.7330
30+$1.0846$ 32.5380
100+$0.9869$ 98.6900
500+$0.9425$ 471.2500
1000+$0.9231$ 923.1000
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트VISHAY SI8483DB-T2-E1
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃@(Tj)
유형1 Piece P-Channel
드레인 소스 전압(Vdss)12V
연속 드레인 전류(Id)16A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@4.5V,1.5A
전력 손실(Pd)2.77W;13W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)1.84nF@6V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)65nC@10V

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