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Vishay Intertech SI7892BDP-T1-E3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SI7892BDP-T1-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E82925172 |
| 패키지 | SO-8 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 25A 0.0042Ω@10V,25A 5W 1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
| 500+ | $0.6531 | $ 326.5500 |
| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SI7892BDP-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 25A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.0042Ω@10V,25A | |
| 전력 손실(Pd) | 5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 295pF@15V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3.775nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 40nC@15V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
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| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
