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Vishay Intertech SI7230DN-T1-E3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SI7230DN-T1-E3 |
| EBEE 부품 번호 | E85899683 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 9A 12mΩ@10V,14A 1.5W 3V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6015 | $ 1.6015 |
| 200+ | $0.6396 | $ 127.9200 |
| 500+ | $0.6187 | $ 309.3500 |
| 1000+ | $0.6082 | $ 608.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY SI7230DN-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 9A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20nC@5V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6015 | $ 1.6015 |
| 200+ | $0.6396 | $ 127.9200 |
| 500+ | $0.6187 | $ 309.3500 |
| 1000+ | $0.6082 | $ 608.2000 |
