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Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3


제조사
제조사 부품 번호
Si2308BDS-T1-GE3
EBEE 부품 번호
E812298
패키지
SOT-23-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
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품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.2336$ 0.2336
10+$0.1880$ 1.8800
30+$0.1685$ 5.0550
100+$0.1441$ 14.4100
500+$0.1332$ 66.6000
1000+$0.0998$ 99.8000
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)192mΩ@4.5V
작동 온도 --
역전송 용량(Crss@Vds)-
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation1.8W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)2.3A
Ciss-Input Capacitance-
Output Capacitance(Coss)-
Gate Charge(Qg)6.8nC@10V

쇼핑 가이드

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