| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | Si2308BDS-T1-GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E812298 |
| 패키지 | SOT-23-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 192mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | - | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 6.8nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
