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Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | Si2302CDS-T1-GE3 |
| EBEE 부품 번호 | E810488 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 2.9A 0.057Ω@4.5V,3.6A 550mW 850mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0757 | $ 0.7570 |
| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
| 300+ | $0.0561 | $ 16.8300 |
| 3000+ | $0.0454 | $ 136.2000 |
| 6000+ | $0.0435 | $ 261.0000 |
| 9000+ | $0.0422 | $ 379.8000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 75mΩ@2.5V | |
| 작동 온도 - | - | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 550mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 3.5nC@10V,4.5V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0757 | $ 0.7570 |
| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
| 300+ | $0.0561 | $ 16.8300 |
| 3000+ | $0.0454 | $ 136.2000 |
| 6000+ | $0.0435 | $ 261.0000 |
| 9000+ | $0.0422 | $ 379.8000 |
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