| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRLD110PBF |
| EBEE 부품 번호 | E8145272 |
| 패키지 | HVMDIP-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 1A 540mΩ@5V,600mA 1.3W 2V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6335 | $ 1.6335 |
| 10+ | $1.6012 | $ 16.0120 |
| 30+ | $1.5797 | $ 47.3910 |
| 100+ | $1.5567 | $ 155.6700 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRLD110PBF | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 540mΩ@5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 250pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.1nC@5V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6335 | $ 1.6335 |
| 10+ | $1.6012 | $ 16.0120 |
| 30+ | $1.5797 | $ 47.3910 |
| 100+ | $1.5567 | $ 155.6700 |
