RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1673 | $ 10.1673 |
| 200+ | $4.0578 | $ 811.5600 |
| 500+ | $3.9228 | $ 1961.4000 |
| 1000+ | $3.8551 | $ 3855.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 11A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V,6.6A | |
| 전력 손실(Pd) | 190W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.3nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 84nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1673 | $ 10.1673 |
| 200+ | $4.0578 | $ 811.5600 |
| 500+ | $3.9228 | $ 1961.4000 |
| 1000+ | $3.8551 | $ 3855.1000 |
