| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFIBF30GPBF |
| EBEE 부품 번호 | E8511075 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 900V 1.9A 3.7Ω@10V,1.1A 35W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1485 | $ 1.1485 |
| 10+ | $1.1237 | $ 11.2370 |
| 30+ | $1.1058 | $ 33.1740 |
| 100+ | $1.0899 | $ 108.9900 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRFIBF30GPBF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 1.9A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7Ω@10V,1.1A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 200pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.2nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 78nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1485 | $ 1.1485 |
| 10+ | $1.1237 | $ 11.2370 |
| 30+ | $1.1058 | $ 33.1740 |
| 100+ | $1.0899 | $ 108.9900 |
