| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFBC40APBF |
| EBEE 부품 번호 | E8466976 |
| 패키지 | TO-220AB |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 6.2A 1.2Ω@10V,3.7A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5036 | $ 1.5036 |
| 10+ | $1.2654 | $ 12.6540 |
| 30+ | $1.1352 | $ 34.0560 |
| 100+ | $0.9876 | $ 98.7600 |
| 500+ | $0.9225 | $ 461.2500 |
| 1000+ | $0.8923 | $ 892.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRFBC40APBF | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 1.2Ω@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.036nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 136pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5036 | $ 1.5036 |
| 10+ | $1.2654 | $ 12.6540 |
| 30+ | $1.1352 | $ 34.0560 |
| 100+ | $0.9876 | $ 98.7600 |
| 500+ | $0.9225 | $ 461.2500 |
| 1000+ | $0.8923 | $ 892.3000 |
