| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFBC30SPBF |
| EBEE 부품 번호 | E817441065 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 3.6A 2.2Ω@10V,2.2A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4703 | $ 4.4703 |
| 200+ | $1.7834 | $ 356.6800 |
| 500+ | $1.7250 | $ 862.5000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRFBC30SPBF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3.6A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,2.2A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.1W;74W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 660pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 31nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4703 | $ 4.4703 |
| 200+ | $1.7834 | $ 356.6800 |
| 500+ | $1.7250 | $ 862.5000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
