| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFBC20SPBF |
| EBEE 부품 번호 | E85741259 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 2.2A 4.4Ω@10V,1.3A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0262 | $ 2.0262 |
| 200+ | $0.8087 | $ 161.7400 |
| 500+ | $0.7813 | $ 390.6500 |
| 1000+ | $0.7685 | $ 768.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRFBC20SPBF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 2.2A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4Ω@10V,1.3A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.1W;50W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 350pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 18nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0262 | $ 2.0262 |
| 200+ | $0.8087 | $ 161.7400 |
| 500+ | $0.7813 | $ 390.6500 |
| 1000+ | $0.7685 | $ 768.5000 |
