| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRF840SPBF |
| EBEE 부품 번호 | E8157614 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 8A 125W 0.85Ω@10V,4.8A 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0030 | $ 2.0030 |
| 10+ | $1.7465 | $ 17.4650 |
| 50+ | $1.4828 | $ 74.1400 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
| 500+ | $1.2444 | $ 622.2000 |
| 1000+ | $1.2119 | $ 1211.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VISHAY IRF840SPBF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.85Ω@10V,4.8A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 120pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.3nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 63nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0030 | $ 2.0030 |
| 10+ | $1.7465 | $ 17.4650 |
| 50+ | $1.4828 | $ 74.1400 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
| 500+ | $1.2444 | $ 622.2000 |
| 1000+ | $1.2119 | $ 1211.9000 |
