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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | WPM2016-VB |
| EBEE 부품 번호 | E822389138 |
| 패키지 | SOT-23(TO-236) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0578 | $ 0.5780 |
| 100+ | $0.0462 | $ 4.6200 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0360 | $ 108.0000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
| 9000+ | $0.0307 | $ 276.3000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec WPM2016-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 22mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 865pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 105pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0578 | $ 0.5780 |
| 100+ | $0.0462 | $ 4.6200 |
| 300+ | $0.0403 | $ 12.0900 |
| 3000+ | $0.0360 | $ 108.0000 |
| 6000+ | $0.0325 | $ 195.0000 |
| 9000+ | $0.0307 | $ 276.3000 |
