| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | VBFB2102M |
| EBEE 부품 번호 | E8480972 |
| 패키지 | TO-251 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 100V 15A 2.5W 0.215Ω@10V,3.6A 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-251 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4914 | $ 0.4914 |
| 10+ | $0.3865 | $ 3.8650 |
| 30+ | $0.3424 | $ 10.2720 |
| 100+ | $0.2853 | $ 28.5300 |
| 500+ | $0.2614 | $ 130.7000 |
| 1000+ | $0.2467 | $ 246.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec VBFB2102M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 Piece P-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 15A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.215Ω@10V,3.6A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.5W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.055nF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 11nC@50V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4914 | $ 0.4914 |
| 10+ | $0.3865 | $ 3.8650 |
| 30+ | $0.3424 | $ 10.2720 |
| 100+ | $0.2853 | $ 28.5300 |
| 500+ | $0.2614 | $ 130.7000 |
| 1000+ | $0.2467 | $ 246.7000 |
