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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | VBE2101M |
| EBEE 부품 번호 | E83040206 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 16A 2.5W 0.12Ω@4.5V,3.4A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5227 | $ 5.2270 |
| 30+ | $0.4592 | $ 13.7760 |
| 100+ | $0.3970 | $ 39.7000 |
| 500+ | $0.3586 | $ 179.3000 |
| 1000+ | $0.3401 | $ 340.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec VBE2101M | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 100mΩ@10V;120mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.055nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.2nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5227 | $ 5.2270 |
| 30+ | $0.4592 | $ 13.7760 |
| 100+ | $0.3970 | $ 39.7000 |
| 500+ | $0.3586 | $ 179.3000 |
| 1000+ | $0.3401 | $ 340.1000 |
