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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | VB1102M |
| EBEE 부품 번호 | E8480919 |
| 패키지 | SOT-23(TO-236) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 2A 1.6W 0.26Ω@4.5V,0.5A 1.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2413 | $ 1.2065 |
| 50+ | $0.1916 | $ 9.5800 |
| 150+ | $0.1703 | $ 25.5450 |
| 500+ | $0.1437 | $ 71.8500 |
| 3000+ | $0.1318 | $ 395.4000 |
| 6000+ | $0.1246 | $ 747.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec VB1102M | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 240mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 13pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 190pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.2nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2413 | $ 1.2065 |
| 50+ | $0.1916 | $ 9.5800 |
| 150+ | $0.1703 | $ 25.5450 |
| 500+ | $0.1437 | $ 71.8500 |
| 3000+ | $0.1318 | $ 395.4000 |
| 6000+ | $0.1246 | $ 747.6000 |
