5% off
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | VB1101M |
| EBEE 부품 번호 | E8416205 |
| 패키지 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 4.3A 0.1Ω@10V,4.3A 1.6W 1.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2609 | $ 1.3045 |
| 50+ | $0.2057 | $ 10.2850 |
| 150+ | $0.1819 | $ 27.2850 |
| 500+ | $0.1525 | $ 76.2500 |
| 3000+ | $0.1340 | $ 402.0000 |
| 6000+ | $0.1261 | $ 756.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec VB1101M | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 141mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 190pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.9nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2609 | $ 1.3045 |
| 50+ | $0.2057 | $ 10.2850 |
| 150+ | $0.1819 | $ 27.2850 |
| 500+ | $0.1525 | $ 76.2500 |
| 3000+ | $0.1340 | $ 402.0000 |
| 6000+ | $0.1261 | $ 756.6000 |
