| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD8N65M5-VB |
| EBEE 부품 번호 | E822357267 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0733 | $ 1.0733 |
| 10+ | $0.8876 | $ 8.8760 |
| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
| 500+ | $0.6192 | $ 309.6000 |
| 1000+ | $0.5970 | $ 597.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec STD8N65M5-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 560mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 51pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0733 | $ 1.0733 |
| 10+ | $0.8876 | $ 8.8760 |
| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
| 500+ | $0.6192 | $ 309.6000 |
| 1000+ | $0.5970 | $ 597.0000 |
