| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD25P03LT4G-VB |
| EBEE 부품 번호 | E829779203 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 38A 0.033Ω@10V,38A 2.7W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1963 | $ 0.1963 |
| 10+ | $0.1917 | $ 1.9170 |
| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec STD25P03LT4G-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 46mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 190pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 255pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1963 | $ 0.1963 |
| 10+ | $0.1917 | $ 1.9170 |
| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
