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VBsemi Elec RU20120L-VB
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | RU20120L-VB |
| EBEE 부품 번호 | E841370181 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 35.8A 0.0025Ω@4.5V,38.8A 3.75W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8226 | $ 0.8226 |
| 200+ | $0.3291 | $ 65.8200 |
| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec RU20120L-VB | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 35.8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.0025Ω@4.5V,38.8A | |
| 전력 손실(Pd) | 3.75W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 620pF@10V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8226 | $ 0.8226 |
| 200+ | $0.3291 | $ 65.8200 |
| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
