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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NDB6030PL-VB |
| EBEE 부품 번호 | E87569113 |
| 패키지 | TO-263(D2PAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6613 | $ 0.6613 |
| 10+ | $0.5331 | $ 5.3310 |
| 50+ | $0.4684 | $ 23.4200 |
| 100+ | $0.4049 | $ 40.4900 |
| 500+ | $0.3658 | $ 182.9000 |
| 1000+ | $0.3469 | $ 346.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec NDB6030PL-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 8mΩ@10V;11mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@10V;[email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6613 | $ 0.6613 |
| 10+ | $0.5331 | $ 5.3310 |
| 50+ | $0.4684 | $ 23.4200 |
| 100+ | $0.4049 | $ 40.4900 |
| 500+ | $0.3658 | $ 182.9000 |
| 1000+ | $0.3469 | $ 346.9000 |
