| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRFS4620PBF-VB |
| EBEE 부품 번호 | E818212612 |
| 패키지 | TO-263(D2PAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 40A 48mΩ@10V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2672 | $ 1.2672 |
| 10+ | $1.2418 | $ 12.4180 |
| 50+ | $1.0925 | $ 54.6250 |
| 100+ | $1.0751 | $ 107.5100 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec IRFS4620PBF-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 48mΩ@10V;60mΩ@6.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.82nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2672 | $ 1.2672 |
| 10+ | $1.2418 | $ 12.4180 |
| 50+ | $1.0925 | $ 54.6250 |
| 100+ | $1.0751 | $ 107.5100 |
