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VBsemi Elec IRF8010SPBF-VB
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRF8010SPBF-VB |
| EBEE 부품 번호 | E85878811 |
| 패키지 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 120A 3.75W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9474 | $ 0.9474 |
| 10+ | $0.7899 | $ 7.8990 |
| 50+ | $0.7038 | $ 35.1900 |
| 100+ | $0.6055 | $ 60.5500 |
| 500+ | $0.5625 | $ 281.2500 |
| 1000+ | $0.5437 | $ 543.7000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec IRF8010SPBF-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 10mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 265pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 665pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9474 | $ 0.9474 |
| 10+ | $0.7899 | $ 7.8990 |
| 50+ | $0.7038 | $ 35.1900 |
| 100+ | $0.6055 | $ 60.5500 |
| 500+ | $0.5625 | $ 281.2500 |
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