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VBsemi Elec HY1908D-VB
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HY1908D-VB |
| EBEE 부품 번호 | E819632121 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 8.7mΩ@5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
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