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VBsemi Elec H5N2004DSTL-E-VB
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | H5N2004DSTL-E-VB |
| EBEE 부품 번호 | E819626823 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 10A 245mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5952 | $ 0.5952 |
| 10+ | $0.4845 | $ 4.8450 |
| 30+ | $0.4278 | $ 12.8340 |
| 100+ | $0.3726 | $ 37.2600 |
| 500+ | $0.3401 | $ 170.0500 |
| 1000+ | $0.3226 | $ 322.6000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec H5N2004DSTL-E-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 245mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5952 | $ 0.5952 |
| 10+ | $0.4845 | $ 4.8450 |
| 30+ | $0.4278 | $ 12.8340 |
| 100+ | $0.3726 | $ 37.2600 |
| 500+ | $0.3401 | $ 170.0500 |
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