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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | FDG6322C-VB |
| EBEE 부품 번호 | E87428961 |
| 패키지 | SC-70-6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 750mW 0.45V@100uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SC70-6 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1859 | $ 0.9295 |
| 50+ | $0.1478 | $ 7.3900 |
| 150+ | $0.1314 | $ 19.7100 |
| 500+ | $0.1110 | $ 55.5000 |
| 3000+ | $0.0944 | $ 283.2000 |
| 6000+ | $0.0889 | $ 533.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec FDG6322C-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 90mΩ@4.5V;155mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.24W;1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.28A;2.8A | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];[email protected] |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1859 | $ 0.9295 |
| 50+ | $0.1478 | $ 7.3900 |
| 150+ | $0.1314 | $ 19.7100 |
| 500+ | $0.1110 | $ 55.5000 |
| 3000+ | $0.0944 | $ 283.2000 |
| 6000+ | $0.0889 | $ 533.4000 |
