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VBsemi Elec CSD18532KCS-VB
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CSD18532KCS-VB |
| EBEE 부품 번호 | E819626754 |
| 패키지 | TO-220AB |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 210A 3mΩ@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3897 | $ 1.3897 |
| 10+ | $1.1579 | $ 11.5790 |
| 50+ | $0.9799 | $ 48.9950 |
| 100+ | $0.8356 | $ 83.5600 |
| 500+ | $0.7714 | $ 385.7000 |
| 1000+ | $0.7438 | $ 743.8000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | VBsemi Elec CSD18532KCS-VB | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 3mΩ@10V | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 750pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 180nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3897 | $ 1.3897 |
| 10+ | $1.1579 | $ 11.5790 |
| 50+ | $0.9799 | $ 48.9950 |
| 100+ | $0.8356 | $ 83.5600 |
| 500+ | $0.7714 | $ 385.7000 |
| 1000+ | $0.7438 | $ 743.8000 |
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