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U-NIKC P1006BD
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | P1006BD |
| EBEE 부품 번호 | E83034551 |
| 패키지 | TO-252-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 66A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 96W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 140pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.92nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 42nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
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